Beschreibung
Die Dual Active Bridge wurde vor über 30 Jahren erstmals veröffentlicht. Seither hat sie sich als eine der vorherrschenden Topologien im Bereich der galvanisch getrennten dc-dc Wandler mit hoher Leistung durchgesetzt. Diese Doktorarbeit beschäftigt sich mit der Regelung der Dual Active Bridge für Anwendungen mit hoher Frequenz und Leistung, für welche Halbleiter mit weiter Bandlücke verwendet werden. Die hohe Frequenz und charakteristischen Eigenschaften dieser Halbleiter resultieren in der Signifikanz zusätzlicher parasitärer Effekte. Diese sollten bei der rückführungslosen Regelung (Steuerung) berücksichtigt werden. Das Steuerungskonzept wird verifiziert mit Messungen an einer dc-dc und einer ac-dc Dual Active Bridge bei hoher Frequenz (bis zu 100 kHz) und Leistung (bis zu 20 kW).


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